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CY7C21701KV18-400BZXC
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CY7C21701KV18-400BZXC

CY7C21701KV18-400BZXC

Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
18Mbit
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
165-FBGA (13x15)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Frecuencia del reloj:
400 MHz
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.9V
Envase / estuche:
165-LBGA
Organización de la memoria:
512K x 36
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
El número de unidades de recolección de datos será el número de unidades de recolección de datos.
Número del producto de base:
Se aplicará a los vehículos de la categoría M1 y M2.
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El valor de las emisiones de CO2 de los combustibles renovables se calcula en función de las emision
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria DDR II+ síncrona de 18 Mbit paralelo a 400 MHz 165-FBGA (13x15)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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