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CY15B101N-ZS60XAT
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CY15B101N-ZS60XAT

CY15B101N-ZS60XAT

Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
90ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
44-TSOP II
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tamaño de la memoria:
1Mbit
Voltagem - Suministro:
2 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
90 ns
Envase / estuche:
44-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
64K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
FRAM (RAM ferroeléctrico)
Número del producto de base:
CY15B101
Formato de memoria:
FRAM
Pago y términos de envío
Descripción
IC FRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II (incluido el código de código)
Descripción de producto
FRAM (RAM ferroeléctrica) IC de memoria 1Mbit paralelo 90 ns 44-TSOP II

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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