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S25HL512TDPNHB010: el contenido de la sustancia activa en el producto
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S25HL512TDPNHB010: el contenido de la sustancia activa en el producto

S25HL512TDPNHB010: el contenido de la sustancia activa en el producto

Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
HL-t
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
SPI - Entrada-salida del patio, QPI
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-WSON (6x8)
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia del reloj:
133 megaciclos
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Envase / estuche:
Pad expuesto 8-WDFN
Organización de la memoria:
los 64M x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 105 °C (TA)
Tecnología:
FLASH - NI
Número del producto de base:
S25HL512: las condiciones de los productos
Formato de memoria:
El flash.
Pago y términos de envío
Descripción
El sistema de control de la velocidad es el sistema de control de la velocidad.
Descripción de producto
El número de unidades de almacenamiento de la unidad de almacenamiento de la unidad de almacenamiento de la unidad de almacenamiento de la unidad de almacenamiento de la unidad de almacenamiento de la unidad de almacenamiento de la unidad de almacenamiento de la unidad de almacenamiento de la unidad de almacenamiento.

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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