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Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma BR25L040FVM-WTR
  • Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma BR25L040FVM-WTR
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma BR25L040FVM-WTR

Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma BR25L040FVM-WTR

Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
4Kbit
Estado del producto:
No para nuevos diseños
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
El SPI
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
5 ms
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-MSOP
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Semiconductores de Rohm
Frecuencia del reloj:
5 megaciclos
Voltagem - Suministro:
1.8V ~ 5.5V
Envase / estuche:
8-VSSOP, 8-MSOP (0,110", anchura de 2.80m m)
Organización de la memoria:
512 x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
EEPROM
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Formato de memoria:
EEPROM
Pago y términos de envío
Descripción
Los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos
Descripción de producto
EEPROM IC de memoria 4Kbit SPI 5 MHz 8-MSOP

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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