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  • FM22L16-55-TG

FM22L16-55-TG

Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
F-RAM™
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
110ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
44-TSOP II
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
110 ns
Envase / estuche:
44-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
256K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
FRAM (RAM ferroeléctrico)
Número del producto de base:
Se trata de una serie de medidas de seguridad.
Formato de memoria:
FRAM
Pago y términos de envío
Descripción
IC FRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II y el resto de los componentes de las unidades de producción
Descripción de producto
FRAM (RAM ferroeléctrica) IC de memoria 4Mbit paralelo 110 ns 44-TSOP II

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