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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de velocidad.
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Frecuencia del reloj:
117 megaciclos
Voltagem - Suministro:
3,15 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
7,5 ns
Envase / estuche:
Las demás:
Organización de la memoria:
128K x 32
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
CY7C1338
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
Los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria SDR síncrona 4Mbit paralelo a 117 MHz 7.5 ns 119-PBGA (14x22)

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