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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
70ns
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
512 Kbit
Voltagem - Suministro:
4.5V ~ 5.5V
Tiempo de acceso:
70 ns
DigiKey es programable:
No verificado
Organización de la memoria:
64K x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
El valor de la carga de la unidad de recolección será el valor de la carga de la unidad de recolecci
Número del producto de base:
CY7C1512
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
Las instrucciones de acceso a los datos de los servidores de los Estados miembros deberán ser las si
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria síncrona de 512 Kbit paralelo a 70 ns

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609 no. 4018, camino baoan, calle de Xixiang, Baoan District, Shenzhen, Guangdong
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