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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.
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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
4.5Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las condiciones de los productos de la categoría 1 se establecen en el anexo I.
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia del reloj:
100 MHz
Voltagem - Suministro:
3,15 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
8 ns
Envase / estuche:
100-LQFP
Organización de la memoria:
128K x 36
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
CY7C1345
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El número de unidades de almacenamiento será el siguiente:
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria SDR síncrona de 4,5 Mbit paralelo a 100 MHz 8 ns 100-TQFP (14x14)

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609 no. 4018, camino baoan, calle de Xixiang, Baoan District, Shenzhen, Guangdong
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