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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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  • P2114AL4

P2114AL4

Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
A través del agujero
Paquete:
En bruto
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
200ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
18-DIP
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Información
Tamaño de la memoria:
4Kbit
Voltagem - Suministro:
4.5V ~ 5.5V
Envase / estuche:
18-DIP
Organización de la memoria:
1K x 4
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 125°C (TA)
Tecnología:
SRAM - Asincrónico
Tiempo de acceso:
200 ns
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El número de unidades de recolección de datos es el número de unidades de recolección.
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria asíncrona 4Kbit paralelo 200 ns 18-DIP

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