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El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga.
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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
90ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
100-VFBGA (6x6)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
256 Kbit
Voltagem - Suministro:
1.8V ~ 3.3V
Tiempo de acceso:
90 ns
Envase / estuche:
100-VFBGA
Organización de la memoria:
16K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Puerto doble, MoBL
Número del producto de base:
CYDMX
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
Las instalaciones de las que se trate deberán tener una capacidad de almacenamiento superior a 300 k
Descripción de producto
SRAM - Puerto doble, IC de memoria MoBL 256Kbit paralelo 90 ns 100-VFBGA (6x6)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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