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CY14B108L-ZS45XIT
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CY14B108L-ZS45XIT

CY14B108L-ZS45XIT

Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
45ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
44-TSOP II
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tamaño de la memoria:
8Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
45 ns
Envase / estuche:
44-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
el 1M x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
NVSRAM (SRAM permanente)
Número del producto de base:
CY14B108
Formato de memoria:
NVSRAM
Pago y términos de envío
Descripción
Las instrucciones de acceso a los datos de los sistemas de seguridad de los Estados miembros deberán
Descripción de producto
Las unidades de la memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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