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El número de unidad de ensayo será el número de unidad de ensayo.
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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
55ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
32-TSOP I
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
RENESAS
Tamaño de la memoria:
1Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Envase / estuche:
32-TFSOP (0,465", ancho de 11,80 mm)
Organización de la memoria:
128K x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Asincrónico
Tiempo de acceso:
55 ns
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
R1LV0108E - LPSRAM avanzada de 1 Mb
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria asincrónica de 1 Mbit paralelo 55 ns 32-TSOP I

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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