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El número de unidades de producción será el número de unidades de producción.
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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
1Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
I2C
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-SOIC
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia del reloj:
3.4 MHz
Voltagem - Suministro:
4.5V ~ 5.5V
Envase / estuche:
8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
Organización de la memoria:
128K x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
NVSRAM (SRAM permanente)
Número del producto de base:
CY14E101
Formato de memoria:
NVSRAM
Pago y términos de envío
Descripción
Los datos de los datos de las operaciones de seguimiento de los datos de las operaciones de seguimie
Descripción de producto
NVSRAM (SRAM no volátil) IC de memoria 1Mbit I2C 3,4 MHz 8-SOIC

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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