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Se aplicará el método de ensayo de los datos de los equipos de ensayo.
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Se aplicará el método de ensayo de los datos de los equipos de ensayo.

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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
10ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
54-TSOP II
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tamaño de la memoria:
16Mbit
Voltagem - Suministro:
4.5V ~ 5.5V
Tiempo de acceso:
10 ns
Envase / estuche:
54-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
1M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Asincrónico
Número del producto de base:
CY7C1061
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El número de unidades de recolección de datos de la unidad de recolección de datos será el siguiente
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria asíncrona 16 Mbit paralelo 10 ns 54-TSOP II

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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