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CY14B108L-BA45XI, incluidos los componentes de los componentes de los componentes de los componentes de los componentes de los componentes
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CY14B108L-BA45XI, incluidos los componentes de los componentes de los componentes de los componentes de los componentes de los componentes

CY14B108L-BA45XI, incluidos los componentes de los componentes de los componentes de los componentes de los componentes de los componentes

Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
45ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
48-FBGA (6x10)
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tamaño de la memoria:
8Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
45 ns
Envase / estuche:
48-TFBGA
Organización de la memoria:
el 1M x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
NVSRAM (SRAM permanente)
Número del producto de base:
CY14B108
Formato de memoria:
NVSRAM
Pago y términos de envío
Descripción
Las unidades de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de
Descripción de producto
NVSRAM (SRAM no volátil) IC de memoria de 8 Mbit paralelo 45 ns 48-FBGA (6x10)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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