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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.
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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
45ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
48-POES
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tamaño de la memoria:
1Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
45 ns
Envase / estuche:
48-BSSOP (0,295", anchura de 7.50m m)
Organización de la memoria:
128K x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
NVSRAM (SRAM permanente)
Número del producto de base:
CY14B101
Formato de memoria:
NVSRAM
Pago y términos de envío
Descripción
IC NVSRAM 1MBIT PARALÉL 48SSOP
Descripción de producto
NVSRAM (SRAM no volátil) IC de memoria de 1Mbit paralelo 45 ns 48-SSOP

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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