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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
F-RAM™
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
110ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las partidas de los componentes de las máquinas de la categoría M1 y M2
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
110 ns
Envase / estuche:
48-TFBGA
Organización de la memoria:
256K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
FRAM (RAM ferroeléctrico)
Número del producto de base:
Se trata de una serie de medidas de control.
Formato de memoria:
FRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de
Descripción de producto
FRAM (RAM ferroeléctrica) IC de memoria 4Mbit paralelo 110 ns 48-FBGA (6x8)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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