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CY7C1145KV18-400BZXCT
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CY7C1145KV18-400BZXCT

CY7C1145KV18-400BZXCT

Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
18Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
165-FBGA (13x15)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia del reloj:
400 MHz
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.9V
Envase / estuche:
165-LBGA
Organización de la memoria:
512K x 36
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, QDR II+
Número del producto de base:
CY7C1145 y sus derivados
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El valor de las emisiones de CO2 de los combustibles renovables se calcula en función de las emision
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria sincrónica QDR II+ de 18 Mbit paralelo a 400 MHz 165-FBGA (13x15)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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