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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
10ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
32-SOJ
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
10 ns
Envase / estuche:
32-BSOJ (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
1M x 4
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Asincrónico
Número del producto de base:
CY7C1046: el contenido de nitrógeno
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El sistema de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almace
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria asíncrona 4Mbit paralelo 10 ns 32-SOJ

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