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S34MS04G204BHI010
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S34MS04G204BHI010

S34MS04G204BHI010

Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
MS-2
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
45ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
63-BGA (11x9)
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
4Gbit
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.95V
Tiempo de acceso:
45 ns
Envase / estuche:
63-VFBGA
Organización de la memoria:
los 256M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las condiciones de los datos de las unidades de control
Número del producto de base:
S34MS04
Formato de memoria:
El flash.
Pago y términos de envío
Descripción
El número de unidad es el número de unidad.
Descripción de producto
FLASH - IC de memoria NAND 4Gbit paralelo 45 ns 63-BGA (11x9)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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