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S29GL512P10FFCR10: el contenido de la sustancia activa en el producto es inferior al 10%
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S29GL512P10FFCR10: el contenido de la sustancia activa en el producto es inferior al 10%

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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
GL-P
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
100ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
64-FBGA (11x13)
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
100 ns
Envase / estuche:
64-LBGA
Organización de la memoria:
los 32M x 16
Temperatura de funcionamiento:
0°C ~ 85°C (TA)
Tecnología:
FLASH - NI
Número del producto de base:
S29GL512
Formato de memoria:
El flash.
Pago y términos de envío
Descripción
El número de unidades de control de las unidades de control de las unidades de control de las unidad
Descripción de producto
FLASH - NOR Memoria IC 512Mbit Paralelo 100 ns 64-FBGA (11x13)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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