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AS4C8M16SA-6TAN
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AS4C8M16SA-6TAN

AS4C8M16SA-6TAN

Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
128Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
Automotriz, AEC-Q100
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
12ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
54-TSOP II
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Alliance Memory, Inc.
Frecuencia del reloj:
166 MHz
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
5 ns
Envase / estuche:
54-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
8M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 105 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM
Número del producto de base:
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de segurid
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Pago y términos de envío
Descripción
El número de unidades de almacenamiento será el número de unidades de almacenamiento.
Descripción de producto
La memoria IC 128Mbit de SDRAM es paralelo a 166 megaciclos 5 ns 54-TSOP II

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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