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El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
Benand™
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
25ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
63-TFBGA (9x11)
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Kioxia America, Inc.
Tamaño de la memoria:
1Gbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
25 ns
Envase / estuche:
63-VFBGA
Organización de la memoria:
el 128M x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
FLASH - NAND (SLC)
Número del producto de base:
TC58BVG0
Formato de memoria:
El flash.
Pago y términos de envío
Descripción
El número de unidades de control de las unidades de control de las unidades de control de las unidad
Descripción de producto
FLASH - NAND (SLC) IC de memoria 1Gbit paralelo 25 ns 63-TFBGA (9x11)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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