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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
576Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo y de las máquinas de ensayo de los equipos
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
933 megaciclos
Voltagem - Suministro:
1.28V ~ 1.42V
Tiempo de acceso:
7,5 ns
Envase / estuche:
168-LBGA
Organización de la memoria:
16M x 36
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 95°C (TC)
Tecnología:
RLDRAM 3
Número del producto de base:
Se trata de un producto de la familia de los derivados.
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Pago y términos de envío
Descripción
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Descripción de producto
RLDRAM 3 Memoria IC 576Mbit paralelo 933 MHz 7.5 ns 168-FBGA (13.5x13.5)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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