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MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4
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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
15ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de la categoría M2
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Micron Technology Inc.
Frecuencia del reloj:
200 MHz
Voltagem - Suministro:
2,5 V ~ 2,7 V
Tiempo de acceso:
700 picosegundos
Envase / estuche:
60-TFBGA
Organización de la memoria:
128M x 4
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM-DDR
Número del producto de base:
MT4M4M4M4
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Pago y términos de envío
Descripción
Las unidades de almacenamiento de datos de las unidades de almacenamiento de datos de las unidades d
Descripción de producto
SDRAM - Memoria DDR IC 512 Mbit Paralelo 200 MHz 700 ps 60-FBGA (10x12.5)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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