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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
90-TFBGA (8x13)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
143 megaciclos
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
5,4 ns
Envase / estuche:
90-TFBGA
Organización de la memoria:
el 16M x 32
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM
Número del producto de base:
Se aplicará a los vehículos de la categoría M1
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Pago y términos de envío
Descripción
El número de unidades de almacenamiento será el número de unidades de almacenamiento.
Descripción de producto
Memoria SDRAM IC 512Mbit paralelo 143 MHz 5,4 ns 90-TFBGA (8x13)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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