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IS61WV51216EDBLL-10TLI
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IS61WV51216EDBLL-10TLI

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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
10ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
44-TSOP II
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Tamaño de la memoria:
8Mbit
Voltagem - Suministro:
2.4V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
10 ns
Envase / estuche:
44-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
512K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Asincrónico
Número del producto de base:
IS61WV51216
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
CI SRAM 8MBIT PARALELO 44TSOP II
Descripción de producto
SRAM - Memoria asincrónica IC 8Mbit 10 paralelos ns 44-TSOP II

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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