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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
2Gbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
15ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de transmisión por cable de alta velocidad.
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
333 MHz
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.9V
Tiempo de acceso:
450 picosegundos
Envase / estuche:
60-TFBGA
Organización de la memoria:
256Mx8
Temperatura de funcionamiento:
0°C ~ 85°C (TC)
Tecnología:
SDRAM-DDR2
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de la calidad de los productos.
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Pago y términos de envío
Descripción
El número de unidades de almacenamiento de datos es el número de unidades de almacenamiento.
Descripción de producto
SDRAM - IC de memoria DDR2 2Gbit paralelo 333 MHz 450 ps 60-TWBGA (8x10.5)

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