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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
18Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
SYNCBURSTTM
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
165-FBGA (13x15)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Micron Technology Inc.
Frecuencia del reloj:
133 megaciclos
Voltagem - Suministro:
3.135V ~ 3.465V
Tiempo de acceso:
4,2 ns
Envase / estuche:
165-TBGA
Organización de la memoria:
1M x 18
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
La SRAM
Número del producto de base:
MT5801MY18
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El valor de las emisiones de CO2 de los combustibles renovables se calcula en función de las emision
Descripción de producto
IC de memoria SRAM de 18 Mbit paralelo a 133 MHz 4.2 ns 165-FBGA (13x15)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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