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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
55ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las partidas de los componentes de las máquinas de la categoría M1 y M2
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Alliance Memory, Inc.
Tamaño de la memoria:
8Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 5.5V
Tiempo de acceso:
55 ns
Envase / estuche:
48-LFBGA
Organización de la memoria:
el 1M x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Asincrónico
Número del producto de base:
Se aplicará el método siguiente:
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria asíncrona de 8 Mbit paralelo 55 ns 48-TFBGA (6x8)

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