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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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  • GD25WD10CTR

GD25WD10CTR

Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
SPI - Entradas y salidas cuádruples
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-POE
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Tamaño de la memoria:
1Mbit
Voltagem - Suministro:
1.65V ~ 3.6V
Envase / estuche:
8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
Organización de la memoria:
128K x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
FLASH - NI
Número del producto de base:
GD25WD10
Formato de memoria:
El flash.
Pago y términos de envío
Descripción
El sistema de control de la velocidad de entrada/salida de un dispositivo es un sistema de control d
Descripción de producto
Las instrucciones de acceso a la memoria de la unidad de almacenamiento de memoria de 1 Mbit

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