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MX25L6473EBBI-10G, que se encuentra en la parte inferior de la parte inferior de la parte inferior del brazo.
  • MX25L6473EBBI-10G, que se encuentra en la parte inferior de la parte inferior de la parte inferior del brazo.
MX25L6473EBBI-10G, que se encuentra en la parte inferior de la parte inferior de la parte inferior del brazo.

MX25L6473EBBI-10G, que se encuentra en la parte inferior de la parte inferior de la parte inferior del brazo.

Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
64Mbit
Estado del producto:
No para nuevos diseños
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
MXSMIO™
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
El SPI
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
50µs, 3ms
Paquete de dispositivos del proveedor:
12-WLCSP
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Macronix
Frecuencia del reloj:
104 MHz
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Envase / estuche:
12-UFBGA, WLCSP
Organización de la memoria:
8M x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
FLASH - NI
Número del producto de base:
MX25L6473
Formato de memoria:
El flash.
Pago y términos de envío
Descripción
El número de unidades de control de las unidades de control de las unidades de control de las unidad
Descripción de producto
Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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