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GD25LD80CSIGR: las condiciones de las pruebas de seguridad
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GD25LD80CSIGR: las condiciones de las pruebas de seguridad

GD25LD80CSIGR: las condiciones de las pruebas de seguridad

Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
8Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
SPI - Entrada/salida doble
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
60 μs, 6 ms
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-POE
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Frecuencia del reloj:
50 MHz
Voltagem - Suministro:
1.65V ~ 2V
Envase / estuche:
8 SOIC (0,209", 5,30 mm de ancho)
Organización de la memoria:
el 1M x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
FLASH - NI
Número del producto de base:
GD25LD80
Formato de memoria:
El flash.
Pago y términos de envío
Descripción
El sistema de control de velocidad se utilizará en el sistema de control de velocidad.
Descripción de producto
El IC de memoria flash - NOR 8Mbit SPI - doble E/S 50 MHz 8-SOP

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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