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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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El número de personas que pueden participar en el programa de trabajo será el siguiente:
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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
45ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
44-TSOP II
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Tamaño de la memoria:
2Mbit
Voltagem - Suministro:
2.2V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
45 ns
Envase / estuche:
44-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
128K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Asincrónico
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones.
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones de recolección de energía se calculará en func
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria asíncrona de 2 Mbit paralelo 45 ns 44-TSOP II

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