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MB85R1001ANC-GE1
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MB85R1001ANC-GE1

MB85R1001ANC-GE1

Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
150 ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
48-TSOP
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Kaga FEI America, inc.
Tamaño de la memoria:
1Mbit
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
150 ns
Envase / estuche:
48-TFSOP (0,488", 12,40 mm de ancho)
Organización de la memoria:
128K x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
FRAM (RAM ferroeléctrico)
Número del producto de base:
MB85R1001
Formato de memoria:
FRAM
Pago y términos de envío
Descripción
IC FRAM 1MBIT PARALÉL 48TSOP
Descripción de producto
FRAM (RAM ferroeléctrica) IC de memoria paralelo de 1Mbit 150 ns 48-TSOP

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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