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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
10ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las partidas de los componentes de las máquinas de ensamblaje de aluminio
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Voltagem - Suministro:
3.135V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
10 ns
Envase / estuche:
48-TFBGA
Organización de la memoria:
256K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Asincrónico
Número del producto de base:
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria asíncrona de 4Mbit paralelo a 10 ns 48-TFBGA (8x10)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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