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Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán ser realizadas en el lugar de ensayo.
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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
10ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Alliance Memory, Inc.
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
10 ns
Envase / estuche:
44-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
256K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Asincrónico
Número del producto de base:
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El sistema de almacenamiento de datos de las instalaciones de almacenamiento de datos de las instala
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria asíncrona de 4Mbit paralelo a 10 ns 44-TSOP2

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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