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W29N04GVSIAF: las condiciones de las operaciones de los Estados miembros
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W29N04GVSIAF: las condiciones de las operaciones de los Estados miembros

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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
25ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
48-TSOP
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Electrónica de Winbond
Tamaño de la memoria:
4Gbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
25 ns
Envase / estuche:
48-TFSOP (0.724", 18.40 mm de ancho)
Organización de la memoria:
los 512M x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
FLASH - NAND (SLC)
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Formato de memoria:
El flash.
Pago y términos de envío
Descripción
IC FLASH 4GBIT PARALÉL 48TSOP también puede utilizarse
Descripción de producto
Flash - NAND (SLC) IC de memoria 4Gbit paralelo 25 ns 48-TSOP

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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