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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
10ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
90-TFBGA (8x13)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Tamaño de la memoria:
8Mbit
Voltagem - Suministro:
2.4V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
10 ns
Envase / estuche:
90-TFBGA
Organización de la memoria:
256K x 32
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Asincrónico
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de la calidad.
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El número de unidades de recolección de datos de la unidad de recolección de datos de la unidad de r
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria asíncrona de 8 Mbit paralelo a 10 ns 90-TFBGA (8x13)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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