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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
8 Gbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
Automotriz, AEC-Q100
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
15ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las partidas de los componentes de las máquinas de ensamblaje de aluminio
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Micron Technology Inc.
Frecuencia del reloj:
933 megaciclos
Voltagem - Suministro:
1.283V ~ 1.45V
Tiempo de acceso:
20 ns
Envase / estuche:
96-TFBGA
Organización de la memoria:
512M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 95°C (TC)
Tecnología:
SDRAM - DDR3L
Número del producto de base:
MT41K512M16
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Pago y términos de envío
Descripción
El valor de las partidas de los datos se calculará en función de las partidas de las partidas de los
Descripción de producto
SDRAM - IC de memoria DDR3L 8Gbit paralelo a 933 MHz 20 ns 96-FBGA (8x14)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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