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MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4
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MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4

MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4

Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
15ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
66-TSOP
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Micron Technology Inc.
Frecuencia del reloj:
167 megaciclos
Voltagem - Suministro:
2.3V ~ 2.7V
Tiempo de acceso:
700 picosegundos
Envase / estuche:
66-TSSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
128M x 4
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM-DDR
Número del producto de base:
MT4M4M4M4
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Pago y términos de envío
Descripción
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP también puede ser utilizado
Descripción de producto
SDRAM - Memoria DDR IC 512Mbit paralelo 167 MHz 700 ps 66-TSOP

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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