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Se aplicará el método de ensayo.
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Se aplicará el método de ensayo.

Se aplicará el método de ensayo.

Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
8 Gbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
No se puede hacer nada.
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de alta precisión deberán tener una longit
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Corporación de Tecnología Insignis
Frecuencia del reloj:
800 MHz
Voltagem - Suministro:
1.283V ~ 1.45V
Envase / estuche:
78-TFBGA
Organización de la memoria:
1Gx8
Temperatura de funcionamiento:
0°C ~ 95°C (TC)
Tecnología:
SDRAM - DDR3L
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Pago y términos de envío
Descripción
DDR3L 8GB X8 FBGA 9X10.6 ((X1.2) 1
Descripción de producto
SDRAM - IC de memoria DDR3L 8Gbit paralelo a 800 MHz 78-FBGA (9x10.6)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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