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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
576Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de velocidad de alta velocidad.
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
400 MHz
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.9V
Tiempo de acceso:
20 ns
Envase / estuche:
144-TFBGA
Organización de la memoria:
32M x 18
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
RLDRAM 2
Número del producto de base:
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Pago y términos de envío
Descripción
El número de unidad es el número de unidad.
Descripción de producto
RLDRAM 2 IC de memoria 576Mbit paralelo a 400 MHz 20 ns 144-TWBGA (11x18.5)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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