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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
8 Gbit
Estado del producto:
La última vez que compré
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cuadro
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
18ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
200-TFBGA (10x14.5)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Micron Technology Inc.
Frecuencia del reloj:
2,133 gigahertz
Voltagem - Suministro:
1.06V ~ 1.17V
Envase / estuche:
200-TFBGA
Organización de la memoria:
los 256M x 32
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 95°C (TC)
Tecnología:
SDRAM - LPDDR4X móvil
Tiempo de acceso:
3,5 ns
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Pago y términos de envío
Descripción
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Descripción de producto
SDRAM - IC de memoria móvil LPDDR4X 8Gbit paralelo a 2,133 GHz 3,5 ns 200-TFBGA (10x14.5)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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