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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
9Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las condiciones de las condiciones de producción y de las condiciones de producción son las siguient
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
117 megaciclos
Voltagem - Suministro:
3.135V ~ 3.465V
Tiempo de acceso:
7,5 ns
Envase / estuche:
100-LQFP
Organización de la memoria:
256K x 36
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 125 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
Las condiciones de los productos deben ser las siguientes:
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El número de unidades de recolección de datos es el número de unidades de recolección.
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria SDR sincrónica de 9 Mbit paralelo a 117 MHz con una frecuencia de 7.5 ns 100-LQFP (14x20)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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