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MT5E512M64D2HJ-046 WT:B TR
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MT5E512M64D2HJ-046 WT:B TR

MT5E512M64D2HJ-046 WT:B TR

Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
32Gbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
18ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
El número de unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de contr
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Micron Technology Inc.
Frecuencia del reloj:
2,133 gigahertz
Voltagem - Suministro:
1.06V ~ 1.17V
Tiempo de acceso:
3,5 ns
Envase / estuche:
556-TFBGA
Organización de la memoria:
512M x 64
Temperatura de funcionamiento:
-25°C ~ 85°C (TC)
Tecnología:
SDRAM - LPDDR4 móvil
Número del producto de base:
MT5E512
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Pago y términos de envío
Descripción
Las unidades de almacenamiento de datos de las unidades de almacenamiento de datos de las unidades d
Descripción de producto
SDRAM - IC de memoria móvil LPDDR4 32Gbit paralelo 2.133 GHz 3,5 ns 556-WFBGA (12.4x12.4)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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