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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
36Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las condiciones de las condiciones de producción y de las condiciones de producción son las siguient
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
250 MHz
Voltagem - Suministro:
2.375V ~ 2.625V
Tiempo de acceso:
2.8 ns
Envase / estuche:
100-LQFP
Organización de la memoria:
el 1M x 36
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
Se aplican las siguientes condiciones:
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El sistema de almacenamiento de datos de las unidades de almacenamiento de datos de las unidades de
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria SDR síncrona de 36 Mbit paralelo a 250 MHz 2,8 ns 100-LQFP (14x20)

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