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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Tamaño de la memoria:
9Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
NoBL™
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
100-TQFP (14x20)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Frecuencia del reloj:
100 MHz
Voltagem - Suministro:
3.135V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
7,5 ns
Envase / estuche:
100-LQFP
Organización de la memoria:
512K x 18
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
CY7C1357
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El número de unidades de recolección de datos de la unidad de recolección de datos es el número de u
Descripción de producto
SRAM - IC de memoria SDR síncrona de 9 Mbit paralelo a 100 MHz con una frecuencia de 7,5 ns y una frecuencia de 100 TQFP (14x20)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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