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Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad de los productos.
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Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
55ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de alta precisión deberán tener una longit
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Renesas Electronics América Inc.
Tamaño de la memoria:
8Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
55 ns
Envase / estuche:
48-TFBGA
Organización de la memoria:
512K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
La SRAM
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Formato de memoria:
La SRAM
Pago y términos de envío
Descripción
El sistema de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almace
Descripción de producto
IC de memoria SRAM de 8 Mbit paralelo 55 ns 48-FBGA (7,5x8,5)

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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