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R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM - IC de memoria asíncrona de 4 Mbit paralelo a 12 ns 44-TSOP II
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R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM - IC de memoria asíncrona de 4 Mbit paralelo a 12 ns 44-TSOP II

R1RW0416DSB-2PI#D1 SRAM - IC de memoria asíncrona de 4 Mbit paralelo a 12 ns 44-TSOP II

Detalles del producto
Categoría:
Circuitos integrados (IC)MemoriaMemoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
en bulto
Serie:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
12ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
44-TSOP II
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
RENESAS
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Envase / estuche:
44-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
256K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Asincrónico
Tiempo de acceso:
12 ns
Formato de memoria:
La SRAM
Resaltar: 

R1RW0416DSB-2PI#D1

,

El número de unidades de recolección de datos de la unidad de recolección de datos será el siguiente:

Pago y términos de envío
Descripción
R1RW0416D-I - Temperatura de amplitud R
Descripción de producto

SRAM - IC de memoria asincrónica de 4 Mbit paralelo 12 ns 44-TSOP II

Etiquetas:

chip CI de memoria Flash,

Microprocesador del circuito integrado,

Chips de memoria

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